NTH4L080N120SC1
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onsemi NTH4L080N120SC1
| Artikelnummer: | NTH4L080N120SC1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $14.66 |
| 10+ | $13.474 |
| 100+ | $11.3795 |
| 500+ | $10.1228 |
| 1000+ | $9.2851 |
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- Spezifikationen
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onsemi NTH4L080N120SC1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTH4L080N120SC1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA Vgs (Max) +25V, -15V Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device-Gehäuse TO-247-4L Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V Verlustleistung (max) 170W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-4 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 20 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) Grundproduktnummer NTH4L080 -
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